Introduzione al prodotto:
1.Curvatura tridimensionale e misura del contorno nano dei wafer in tutto il campo
2.Misurazione dello sforzo del film sottile del wafer
3Difetti macroscopici dei wafer e rappresentazione dell'uniformità della pellicola.
Oggetto di rilevamento:
wafer lucidanti (silicio, arsenuro di gallio, carburo di silicio, ecc.),
Wafer grafici, wafer per incollaggio, wafer per imballaggio
Industrie mirate:
imprese produttrici di wafer a semiconduttore,
Sviluppo tecnologico di processo a semiconduttore
parametro tecnico
Parametri tecnici:
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Misurazione della deformazione del wafer a campo pieno senza contatto |
Oggetti di misura: wafer lucidati, wafer grafici (circolari, quadrati, perforati, ecc.) |
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Campionamento uniforme a tutta apertura, intervallo minimo di campionamento:0,1 mm |
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Calibro di rilevamento 2 pollice- 8pollice/12Calibro pieno a pollici (regolabile secondo la richiesta) |
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Produci automaticamente contorni 3D, curvatura, stress del film e difetti superficiali |
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La misura non richiede livellamento del wafer, tempo di misurazione singolo:10-30 anni(variabile con intervallo di campionamento) |
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Curvatura 3D |
Range of wafer warpage:200nm - 10mm(Basato sulla dimensione del wafer) |
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Risoluzione locale della misurazione del contorno:20nm |
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Precisione ripetitiva della misurazione del contorno:100nm |
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Bassa frequenza-Analisi software di deformazione ad alta frequenza |
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Ispezione della superficie del film sottile |
Rilevamento di difetti: crepe, tacche, irregolarità |
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Risoluzione delle crepe:50um(La risoluzione può essere regolata secondo le esigenze dell'utente) |
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Misurazione dello stress del film sottile |
Campo di misura:2MPa–5000MPa |
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Ripetibilità:2MPa |
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Precisione relativa:1% |
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Gamma di temperatura del campione: temperatura ambiente -300Grado |
Esempio di misurazione:
1、8 Misura 3D della warpage del wafer in formato grafico in pollici

2Imaging per difetti di superficie

